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隨著(zhù)美國發(fā)起的關(guān)稅戰，貿易戰進(jìn)入新階段，加快了半導體的國產(chǎn)替代步伐，相比于NXP和MACOM這些美資背景的品牌，Ampleon是無(wú)錫國資委全資控股，其特有的國資背景，使得其不易被關(guān)稅和貿易戰影響。
Ampleon集團為全球領(lǐng)先的射頻功率芯片供應商，專(zhuān)業(yè)研發(fā)、設計、生產(chǎn)和銷(xiāo)售高功率射頻功率芯片產(chǎn)品，其產(chǎn)品主要應用于移動(dòng)通訊（基站）領(lǐng)域，并在航天、照明、能量傳輸等領(lǐng)域存在廣泛用途，其生產(chǎn)的LDMOS和GaN射頻功率芯片產(chǎn)品主要供應各大通訊基站設備制造商。
Ampleon推出高集成度的第5代GaN功率晶體管
C5H3438N110D是Ampleon公司的第五代GaN功率晶體管，一經(jīng)推出，其優(yōu)異的性能和內部匹配電路，迅速吸引了射頻工程師的目光。
其主要優(yōu)勢：
緊湊的8mm*8mm QFN封裝
高效率的Doherty特性
頻率從3400-3800MHz寬覆蓋
高集成的內匹配使得其外部匹配電路更簡(jiǎn)單易于使用
非常適合于5G mMIMO應用
我們從C5H3438N110D的Datasheet上可以看到其指標參數如圖1所示，其標稱(chēng)的峰值功率（P3dB）有50.8dBm，輸出42.3dBm的時(shí)候，漏極電流效率高達55.1%。
圖1 C5H3438N110D指標參數
為了驗證其性能，DXY鼎芯按廠(chǎng)家推薦電路，復制了Demo，如下圖2所示，從Demo上可見(jiàn)，其拓撲電路緊湊，輸入、輸出的外圍匹配電路簡(jiǎn)潔，非常適合工程應用。
圖2 DXY 鼎芯開(kāi)發(fā)的C5H3438N110D demo
在給定的偏置條件下：
（Vds=48V，Vgsm=-2.47V，Idqm=70mA，Vgsp=-4.47V） |
Demo主要指標性能如下表1所示，除了因為Vds是48V供電導致P3dB略低外，我們的Demo測試數據和其Datasheet數據非常接近。
表1 Demo測試主要指標參數
為了能更好的激發(fā)出C5H3438N110D優(yōu)異性能，廠(chǎng)家也給它推薦了C5H2350N10作為其驅動(dòng)級，C5H2350N10采用同樣非常緊湊的4.5mm*4.0mm的DFN封裝，整個(gè)射頻鏈路簡(jiǎn)單，適合大批量生產(chǎn)。
DXY鼎芯作為Ampleon公司的IDH，擁有專(zhuān)業(yè)的射頻開(kāi)發(fā)團隊，完整的儀器設備，先行開(kāi)發(fā)了Demo，驗證了器件的性能，不但可以為研發(fā)工程師的選型提供重要參考，縮短研發(fā)開(kāi)發(fā)周期，同時(shí)還可以為其后期具體應用中出現的問(wèn)題提供全方位的技術(shù)支持。選擇DXY 鼎芯，助力您的開(kāi)發(fā)之旅。
